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宣布吴明霞出任中国区总经理
科技消息,内存与存储解决方案供应商Micron Technology, Inc.今日宣布委派吴明霞(Betty Wu)担任中国区总经理, 并继续兼任DRAM封装与测试运营企业副总裁。(证券时报)
2023-05-11
报道称三星、SK 海力士和正推动 DDR5 内存普及
据SamNews24报道,行业专家认为三星电子、SK海力士和三家公司正大力推动DDR5内存普及,以此遏制半导体市场下滑的趋势。DDR5 DRAM是联合电子设备工程委员会(JEDEC)推出的最新DRAM规范,其性能比 DDR4 DRAM高了一倍。DDR4 DRAM当前占据了内存市场的大部分份额。业内人士认为通过提高DDR5内存的产量,普及DDR5内存,可以刺激 DDR5 DRAM 的替换需求。
2023-05-03
台媒:已向经销商发出通知,存储芯片5月起不接受更低价格
据台媒消息,有经销商透露,近日正式接获通知,从5月起DRAM及NAND Flash将不接受低于现阶段行情的询价,意味着将不再跟进跌价的要求。对此表示对于市场传闻不予回应。此外,日前也传出三星通知经销商,未来将不再提供低于目前价格销售。(界面)
2023-04-27
投资10亿美元在印度建设封装厂
据报道,计划向印度投资10亿美元建造封装厂,该工厂可能很快就会在印度获得批准。此前有报道称,在印度将开设一家IC封装工厂,作为印度芯片制造长期预算的一部分。(财联社)
2023-04-26
科技接近获批在印度新建约10亿美元半导体工厂
印度《商业标准报》4月24日消息,印度政府一名高级官员透露,印度接近批准科技的一项提案,即在该国投资近10亿美元新建一座组装、测试、标记和包装(ATMP)工厂。计划利用该厂处理在全球各地生产的部分晶圆。(界面)
2023-04-25
台媒:台湾厂今年不会有第二波裁员
2月25日,台湾《联合报》消息,台湾厂日前突击式裁员,从签名到交识别证离开只花十分钟,外传全球将裁员多达7200人,台湾则影响约600名员工。24日,离职人员透露,台湾与留任员工在内部员工大会中宣布,决策层已提保证,除非有重大经济变数,否则今年不会有第二波裁员。
2023-02-25
北京市场总消费超3万亿元
2月10日,在2023年北京市商务工作会议上,北京市商务局党组书记、局长丁勇表示,北京市消费结构实现历史性跨越。创新消费发展机制,率先建立总消费促进体系,首创总消费统计制度。市场总消费超3万亿元,服务消费在总消费中占比55%左右。北京市网上零售额占社零总额比重从2017年的20.5%提高到2022年的39.8%,创历史新高。(北京商报)
2023-02-10
科技宣布高管降薪至多20%,并暂停奖金
美国芯片制造商科技公司宣布,将公司高管们的基本工资削减至多20%,并暂停发放奖金,以应对全行业的低迷。此前已于去年12月宣布计划裁员10%,即大约4800人。该公司正在应对个人电脑和其他设备销售放缓导致的存储芯片需求疲软。(新浪财经)
2023-02-10
机构:预估第一季DRAM均价跌幅收敛至13%-18%,仍持续下探
36氪获悉,据TrendForce集邦咨询研究显示,由于消费需求疲弱,存储器卖方库存压力持续,仅三星在竞价策略下库存略降。为避免DRAM产品再大幅跌价,诸如等多家供应商已开始积极减产,预估2023年第一季DRAM价格跌幅可因此收敛至13%-18%,但仍不见下行周期的终点。其中,PC及Server DRAM跌幅仍是近两成左右;Mobile DRAM在获利空间最为压缩的现况下,是跌幅收敛较明显的品项。
2023-01-09
因供需不匹配,科技拟于明年裁员约10%
据报道,芯片制造商科技周三预测,第二季度亏损将远超预期,并表示将于明年裁员10%,理由是半导体市场“供过于求”。首席执行官Sanjay Mehrotra表示:“由于进入2023年的供需严重不匹配,我们预计盈利能力在整个2023年仍将面临挑战。”截至9月1日,在全球拥有约48000名员工。(界面)
2022-12-22
科技以市场状况为由削减DRAM和NAND晶圆产量
据报道,科技公司(Micron Technology Inc., MU)表示,鉴于市场状况,将缩减DRAM和NAND晶圆的产量。此前已有多家半导体公司警告称,需求可能会减弱。该公司表示,预计本季度DRAM和NAND晶圆的开工率将比上一季度下降约20%。该公司说,此次减产涵盖有意义的产出的所有技术节点。补充说,还在努力进一步削减资本支出。(界面)
2022-11-17
投资150亿美元的美国芯片工厂破土动工
据报道,美国存储芯片公司科技在爱达荷州博伊西市的一座价值150亿美元的工厂周一破土动工。另外,公司还宣布另一家在美国的新工厂也即将开工,具体的将在未来几周宣布。博伊西的工厂将在2025年投入运营。这两家工厂都将生产DRAM芯片,大量应用于数据中心、个人电脑和其他设备。首席执行官Sanjay Mehrotra表示,一旦投入运营,美国工厂将占全球DRAM产量的40%,而目前仅为10% 。(TechWeb)
2022-09-13
科技考虑在德州奥斯特附近建芯片厂,投资或达1600亿美元
科技(Micron Technology)正在考虑一项计划,在德克萨斯州中部投资至多1600亿美元建设一座新的半导体工厂。根据申请,该项目将分8个阶段建设,将于2023年1月开始施工。目前还不能确保会进行如此规模的投资,该公司发言人拒绝就潜在支出置评。但等公司正赶在一项被称为“破产法313章”的税收减免计划于今年年底到期前提交申请。这样一来,如果他们真的决定实施该计划,他们就可以获得激励措施。(新浪财经)
2022-08-26
消息称台积电将加强与、SK等存储芯片厂商的技术合作
据报道,业内消息人士称,台积电准备加强与包括科技和SK海力士在内的存储芯片供应商的联系,以加强逻辑代工厂的3D硅堆叠和其他先进封装技术。(财联社)
2022-06-02
产业链消息称和西部数据已将NAND闪存价格提升10%
根据产业链的消息,和西部数据已将NAND闪存的价格上调10%,可能会影响到现货市场和合约市场NAND闪存的价格。从研究机构此前公布的数据来看,去年一季度和二季度,是全球第五大NAND闪存供应商,西部数据则是第三大供应商,三星电子是第一大供应商,市场份额远高于其他厂商,铠侠和SK海力士分别是第二大和第四大供应商。目前,尚不清楚另外3家供应商是否也有调整的计划。(TechWeb)
2022-02-28
英特尔任命前高管为CFO
英特尔任命科技前财务主管大卫·津斯纳(David Zinsner)为新任首席财务官兼执行副总裁。同时,任命首席商务官苏米特·萨达娜(Sumit Sadana)为临时CFO,公司正在寻找正式CFO。(新浪科技)
2022-01-11
联华电子与科技宣布达成全球和解协议
联华电子与科技宣布达成全球和解协议,双方将撤回向对方提出的诉讼,同时联电将一次性向支付一笔未披露金额的款项。(界面)
2021-11-26
:向ASML购买光刻机,计划2024年将EUV引入DRAM生产
据报道,存储大厂2021财年的资本支出将超过95亿美元,部分原因是其开始从ASML购买EUV设备。表示,计划从2024年开始,将EUV纳入DRAM开发路线图。另外,计划在今年年底安装ASML新一代EUV光刻机3600D。此前,三星、SK海力士已投入EUV DRAM。(新浪财经)
2021-07-02
消息人士:即使和西部数据寻求收购,铠侠仍致力于最快今夏IPO
当地时间周三,据外媒报道,虽然科技和西部数据在寻求收购铠侠,但后者目前仍专注于推进今夏IPO事宜。铠侠目前是全球第二大NAND闪存芯片供应商,仅次于三星电子。铠侠由东芝存储发展而来,东芝在2018年将存储业务的大部分股权,出售给了贝恩资本、苹果、SK海力士组成的财团,进而成为了NAND闪存芯片制造商铠侠。(TechWeb)
2021-04-02
存储半导体库存恐超3.5个月,下半年价格或出现调整
据Digitimes报道,、SK海力士等存储大厂陆续开始发布财报。这些企业虽上半年在疫情大环境下发生逆势增长,但上游厂商的库存压力将逐渐显现出来。业内认为,上游生产厂商的库存将在两到三个月左右积累至较高水平,或可支持3.5到4个月的销售量。相关从业者表示,最快第三季度或第四季度,这些厂商因维持价格所产生的库存将体现出来,届时,价格下降在所难免。(财联社)
2020-07-25
推出面向云和企业级市场的固态硬盘
36氪讯,半导体公司4月24日在北京发布采用NVM Express(NVMe)协议的9300系列固态硬盘(SSD)。这款产品在读写方面速度更快,功耗相对上一代产品降低了28%,以应对数据爆发式的增长。表示,这款产品可以应用于数据中心等B端领域,有助于该公司进一步拓展在华市场。据外媒报道,2017-2018年的营收半数以上来自中国市场。
2019-04-24
告福建晋华专利侵权,遭美联邦法院驳回
福建晋华和美系存储大厂(Micron)之间的战争延续多时,2019年初传来新进展,针对在2017年底在美国对福建晋华提出的专利侵权诉讼,日前已遭美国联邦法院驳回,理由是晋华的产品并没有在美国销售,即使晋华有侵权的事实,美法院也没有管辖权,但针对此案有权再补件说明,业界表示,可能会再补件,继续告下去。(DeepTech深科技)
2019-02-11
Mobileye选定,以推进其第五代自动驾驶平台发展
36氪讯,科技股份有限公司今日在CES 2019上宣布,Mobileye选定内存解决方案,以推动基于Mobileye第五代EyeQ®5单芯片系统EPM5平台的全自动驾驶开发。两家公司将合作测试和验证的LPDRAM、Xccela™ NOR闪存和e.MMC内存解决方案,以加速在L1至L5级自动驾驶车辆上实现高级驾驶辅助系统功能。
2019-01-08
宣布量产面向移动应用、业内容量最高的单片式存储器
36氪获悉,科技股份有限公司今天宣布,已经开始量产业内容量最高的首款单片12Gb低功耗双倍数据速率4x(LPDDR4x)DRAM,适用于移动设备和应用。此外,的12Gb LPDDR4x实现了双倍的存储容量,与上一代产品相比,在不增加体积的情况下提供了业内容量最高的单片LPDDR4。
2018-11-12
芯片制造商将向人工智能领域投资1亿美元
据外媒报道,当地时间周三科技(Micron Technology)表示,其计划向致力于开发自动驾驶汽车、工厂自动化和其他新兴领域人工智能技术的初创公司投资至多1亿美元。该公司认为,通过扩大其在人工智能领域的参与度,可以最终可以销售出更多的内存芯片,因为人工智能领域处理的大量数据需要存储在的产品上。(网易科技)
2018-10-11
汽车芯片成热门,12年内将投30亿美元扩建工厂
据路透社报道,芯片制造商科技表示,计划未来12年内在美国弗吉尼亚州投入30亿美元扩建工厂。CEO桑杰·梅赫罗特拉在接受采访时透露,此次扩张旨在满足汽车芯片日益增长的需求。在防撞系统或车道偏离警告系统等功能上,这类芯片的计算性能正不断提升。科技预计,到2021年,这一市场将翻一番,达到60亿美元。(网易)
2018-08-30
回应中国销售禁令影响:季度营收会减少约1%
面对中国的销售禁令,科技回应称:中国法院因一项知识产权诉讼而临时禁止其在中国市场销售某些芯片的判决,将使公司季度营收减少约1%。(搜狐科技)
2018-07-06
称尚未收到中国芯片销售临时禁令
美国芯片厂商周二表示,尚未收到竞争对手台联电早些时候提到的在中国大陆销售芯片的临时禁令。在声明中称:“尚未收到台联电和福建晋华集成电路有限公司在7月3日声明中提到的初步禁令。”表示,在评估来自福州中级人民法院的文件之前,该公司不会对此置评。(新浪)
2018-07-04
中国反垄断机构正式立案调查、三星、海力士
继去年12月和今年5月相继约谈三星、后,中国反垄断机构已于近日启动对于三星、海力士、三家企业的调查,内容可能涉及三家厂商在近年来DRAM市场的价格飞涨以及业界反映的产品搭售问题。(新浪财经)
2018-06-01
三星、海力士等涉嫌串谋操纵芯片价格 被提起集体诉讼
三星电子、海力士公司以及科技被指控串谋限制DRAM内存芯片供应,从而人为地将零售价格保持在高位。截至2017年年中,三星、以及海力士总共占据96%的全球DRAM芯片市场份额。美国相关法庭文件称,当中国去年宣布对芯片价格展开调查时,三者行为“突然改变”。(AppleInsider)
2018-04-28
发布UFS 2.1手机闪存,基于人工智能技术优化
2月26日,发布专为安卓旗舰机打造的UFS 2.1标准闪存,容量设计为64GB、128GB和256GB。颗粒选用TLC,3D 64层堆叠,强调基于人工智能技术进行了APP打开、运行有关的性能优化。新闪存将于今春发货,2018年下半年开始出现在智能机中。此前只有三星和东芝能实现UFS2.1稳定供货。(快科技)
2018-02-26
Intel/闪存合作宣布调整:2019年后“分手”
据快科技报道,Intel宣布,和的闪存合作即将发生关键性变化。具体来说,双方会在2018年继续第三代3D NAND(预计是96层)的研发、生产合作,一直持续到2019年初。在此之后,则分道扬镳。目前,两者正就第二代64层3D 闪存进行增产工作。
2018-01-09
Intel联手推进3D XPoint闪存生产:内存/硬盘大一统
据官方消息,Intel宣布和一道,对坐落于犹他州Lehi的B60工厂进行增产,目的在于提高3D XPoint存储芯片的产量。目前,3D XPoint存储技术已经商用在了Intel的Optane(傲腾)内存和SSD中。按照Intel的规划,在完成对SAS HDD/NVMe 3D SSD的布局之后,将最终实现DIMM内存条和SSD共享3D XPoint存储介质,完成大一统。(快科技)
2017-11-14
发布32GB DDR4 NVDIMM内存:自带64GB闪存
据快科技报道,今天宣布了新一代NVDIMM-N内存条,将DDR4 DREAM内存与NAND闪存融合在了一起,不怕掉电。NVDIMM即非易失性内存条,研究已久,DDR3时代就做过,DDR4时代此前有8GB、16GB容量,新一代则翻番为32GB。 的这条新内存自带了64GB SLC NAND,万一碰上掉电或者有断电的迹象,板载FPGA就会立刻启动,将所有运行数据转移到闪存之内。断电期间,它可以使用电源线连接外部AGIGA PowerGEM电容来维持供电,或者通过DIMM 12V插槽由电池供电。 目前正在试产32GB NVDIMM-N,但未透露何时量产。
2017-11-14
新发布BX300 SSD换回MLC闪存,还是3D NAND
在最新推出的BX300 SSD上用回了MLC闪存,这也是第二款采用3D NAND的消费级SSD。新SSD的主控依然来自慧荣,型号升级到SM2258,其中480GB有512MB缓存,更少容量的版本为256MB,都支持SLC缓存模式。BX300标称的持续读写速度达到555MB/s、510MB/s,随机读写最高为95000、90000 IOPS。外媒Anandtech实测BX300的性能确实不俗,达到了目前SATA SSD的一流水平,可比肩三星850 EVO/PRO、Intel 545s。
2017-08-30
内存/SSD价格持续上涨:三星、受益最大
内存、SSD等从去年涨价到现在,已经过去的第二季度,市场统计数字依然感人。据Digitimes昨日和今日的两份报告,RAM市场营收在Q2环比提高了17%,NAND flash提高了8%。价格上,RAM涨幅超过了10%,闪存则在3%~10%之间。以厂商来划分,内存受益最大的是三星,Flash闪存方面则是居首。
2017-08-22
发布旗舰9200系列SSD:可写入35100TB
存储大厂今天发布了旗下最新旗舰型SSD 9200系列,基于最新的3D闪存和NVMe技术,主要面向企业数据中心和云计算领域。9200系列提供了U.2(15mm厚度)、半高半长PCI-E扩展卡两种样式,分别走PCI-E 3.0 x4、PCI-E 3.0 x8系统通道,均支持NVMe,也是首批容量做到10TB以上的NVMe SSD之一。
2017-08-09
2号工厂故障,或导致全球DRAM涨价和iPhone 8出货延期
根据电子供应链与制造博客 Evertiq 的一篇报道,因为一套氮气分配系统出现故障,在台湾桃园的 2 号工厂在 7 月 1 号那天遇到了停机,导致厂内晶片和设备受到了污染。集邦科技(DRAMeXchange)预测,台湾(即华亚 / Inotera)损失了大约 6 万片/月的初制晶圆产能。此外,华亚(Inotera)也是用于制造 iPhone 的 LPDDR4 内存的主力供应商,运气不好的话,苹果即将发布的 iPhone 8 的出货都有可能因此而延期。
2017-07-06
挥别“雷克沙”存储卡:已关闭其零售部门
据外媒报道,母公司已于本周早些时候宣布结束“雷克沙”存储卡零售运营。在声明中称:该公司砍掉存储卡零售部门,旨在将精力放到‘更高价值和机遇的市场渠道’。此外,该公司正考虑部分或全部转售‘雷克沙’品牌,因此基于该品牌的闪存和 SD 卡产品线仍有一线生机。
2017-06-28
宣布3D闪存产量超越2D 第二代量产
近日宣布,旗下3D立体堆叠的NAND闪存在产量输出上已经首次超越传统的2D平面型闪存,标志着一个新时代的到来。值得一提的是,这里说的产量并非晶圆数量,而是闪存容量。2D MLC/TLC闪存使用16nm工艺,单颗最大容量128Gb(16GB),3D MLC/TLC则分别可达256/384Gb(32/48GB),很容易超越前者。
2016-12-14
科技 32 亿美元全资收购华亚科技
据国外媒体称,科技将斥资32亿美元收购其尚未持有的台湾华亚科技67%的股份,华亚科技将目前生产的所有 DRAM 电脑芯片都供应给科技。据科技 CEO Mark Ducan 称,此次收购是与华亚科技 7 年来合作的高潮。科技将以每股 30 元台币(约人民币 6 元)的价格收购华亚科技剩余股份,较该公司周一23元新台币的收盘价溢价23%。该公司表示将通过25亿美元债务来完成这笔交易,最多将有10亿美元源自持有的南亚科技股票和现金资产,截至 9月30 日,华亚科技拥有 9 亿美元现金,包括南亚科技在内的台塑集团旗下公司持有约32%的华亚科技股份。
2015-12-14
英特尔与合作研发新一代闪存技术
据介绍,这项名为 "3DXPoint" 的技术将实现千倍于现有 NAND 存储的传输速率。目前有关新产品售价和成本的信息尚不明确,官方文章中只提及将会在今年晚些时候试产以供合作伙伴测试。
2015-07-29
紫光集团向发起 230 亿美元收购邀约
据芯谋研究分析师顾文军的微博消息,紫光集团向存储芯片制造商公司发起收购要约。紫光集团欲以每股 21 美元,总计 230 亿美元的价格收购公司。或成就中国企业最大一笔海外收购。此前收购尔必达,成为世界上最大的 DRAM 和存储芯片公司。
2015-07-14
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